Ø Capacidad:

• 512 GB/1 TB/2 TB

• Técnica de gestión de flash:

• Apoyar las tecnologías de equilibrio del desgaste estático y dinámico
• Tecnología de gestión de bloques defectuosa
• Técnica de instrucción TRIM
• Técnica SMART
• Ajuste de la OP de apoyo
• Protección contra interrupciones de apoyo

Ø Interfaz:

• Interfaz M.2
• Apoyo a la PCIe 4.0Acuerdo NVMe 1.4

• El flash

• SK hynix 3D TLC. ¿ Qué quieres decir?
• BGA 132 NAND FLASH y otros

• Rango de temperatura de funcionamiento

• Temperatura de funcionamiento: 0°C ~ 70°C
• Temperatura de almacenamiento: -25°C ~ 85°C

• Performance de lectura y escritura

• Lectura máxima: 7200MB/S
• Máximo de escritura:6700MB/S

• El número de unidades

• > 2,000,000 horas

• Consumo de energía

• Potencia máxima de lectura: < 3,7 W
• Potencia máxima de escritura: < 4,2 W

• Tiempo de garantía:

• 3 años